Авторы разработки — исследователи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники. Предложенный ими подход снижает погрешность определения параметров в два раза. Испытания охватили 12 эталонных структур: отклонение при расчетах составило максимум 0,01%.

Сигнальные линии обеспечивают связь компонентов электроники. Чтобы оценить работу еще не изготовленной платы или микросхемы, инженеры рассчитывают ее характеристики на компьютере. При моделировании проводящую поверхность представляют в виде сетки из небольших элементов: от их размеров и размещения зависит как точность результата, так и объем уравнений.

Томские исследователи использовали математическое описание распределения электрического заряда, чтобы выбирать величину элементов сетки. Там, где распределение резко меняется, разбиение делают более частым. Это прежде всего углы проводников и участки контакта металла с диэлектриком; алгоритм учитывает геометрию проводящих элементов и границы диэлектрических материалов.

Метод разрабатывают для российской системы автоматизированного проектирования, предназначенной для монолитных и гибридных интегральных схем сверхвысоких частот. В этом проекте университет и его российские партнеры создают схемотехнический редактор, а также подсистему электромагнитного моделирования. Новый подход может стать частью этой системы.

У алгоритма есть и другое возможное применение — непосредственное вычисление параметров межсоединений и линий передачи. Оно необходимо при построении электрических моделей и проверке сверхвысокочастотной техники во время проектирования. Далее исследователи займутся генератором гибридных сеток, предназначенным для электромагнитного анализа объемных структур.

Финансовую поддержку работе предоставило Министерство науки и высшего образования РФ. Научные результаты представлены в статье журнала IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. Издание относится к высшему квартилю Q1.

Источник: ТАСС